一· KQZ-20-11真空熔煉爐 雙管區(qū)熔爐 提純爐設(shè)備用途：
提純金屬、半導體、有機和無機的化學材料；
區(qū)熔致勻（使一種欲摻入的雜質(zhì)十分均勻地分布在整個單晶體中）
焊接和測量液體中的擴散率等。
二· KQZ-20-11真空熔煉爐 雙管區(qū)熔爐 提純爐 優(yōu)點：
1·區(qū)熔加熱爐采用往復(fù)區(qū)熔的方式，閉環(huán)溫度控制，可靠的控制熔區(qū)的寬度問題；生長室的設(shè)計成功解 決生長室的污染問題，
2·將加熱及保溫材料均設(shè)置在生長腔室外部，采用高純石英作為腔室，同時抽真空；將流動高純氫氣通 入腔室，去除腔室中的微量氧，解決氧化的問題；
3·開發(fā)高柔性的控制軟件，采用觸摸屏進行操作，任意設(shè)置區(qū)熔的溫度，區(qū)熔的速度及次數(shù)。
三·主要技術(shù)參數(shù)
最高加熱溫度： 1200℃ 使用溫度：500-1100℃
設(shè)備功率： ≤35Kw±10% 三相380v 50Hz（三相五線制）
感應(yīng)電源功率： 20Kw±10% 三相380v 50Hz（三相五線制）頻率≥400kHz。
紅外加熱功率： 2kw*2(暫定）
冷態(tài)極限真空度： ≤5×10-4Pa
石墨舟尺寸： Ф70*200mm（外徑*長度，半圓柱）
石英管（腔室）尺寸： ￠90*1500（根據(jù)實際情況做調(diào)整）
加熱方式： 高頻感應(yīng)加熱
9·區(qū)熔行程及速度： 位移行程 ≦1200mm
慢速：0.1-10mm/h（伺服控制）精度0.01mm
快速：200mm/min（伺服控制）（空走或者后退）
10.爐內(nèi)充氣壓力： ≤0.03MPa（氬氣）
11·充氣系統(tǒng)： 自動充放氣
12.區(qū)熔溫區(qū)： 2溫區(qū)
13.石英管法蘭連接方式：真空水冷密封法蘭形式，留KF25真空接口，法蘭材質(zhì)304不銹鋼
14.控制方式：觸摸屏+plc
